 |
Dépôt PECVD
1 bâti LB semiconductor
- gaz disponibles : SiH4 (2%) : N2, NH3, N2O (pour le dépôt d’oxyde, nitrure et oxynitrure de silicium)
- température de dépôt de 280 °C
- Vitesse de dépôt de l'ordre de qq 10 nm/min
- taille des échantillons jusqu’à 200 mm |
1 bâti STS
- taille des substrats jusqu’à 200 mm
- double générateur pour le contrôle de la contrainte dans les films déposés (380 kHz et 13.56 MHz)
- gaz disponibles: SiH4 (2%) : N2, NH3, N2O (pour le dépôt d’oxyde, nitrure et oxynitrure de silicium)
- température de dépôt de 150° et 300° C |
|
|
|
|
PECVD LB semiconductor |
| |
|
PECVD STS |
| |
|
|
| |
|
