Pré-requis :
2 à 3 h de présentation des structures élaborées et du principe des principales techniques
Nb d’étudiants : 4
Durée : 1 demi-journée à 1 journée
Etape technologiques :
• Nettoyage
• Recuit de surface vicinale de Si(111) sous UHV et/ou dépôt PVD
• Dépôt UHV-CVD
• Microscopie électronique
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Principe de la croissance VLS |
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Cliché MEB de nanofils de silicium : la terminaison Au/Si
est visible en hauts des fils |
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Gouttelettes d'or observées en MEB
obtenues par dépôt PVD
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Cliché STEM de la morphologie de
terrasse de silicium obtenues par cyclage thermique.
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Cliché STEM de la morphologie de surface de silicium après dépôt
de la couche d'Au
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