Publications d'Arnaud Bournel


Années 2014 - 2013 -2012 - 2011 - 2010 - 2009 - 2008 - 2007 - 2006 - 2005 - 2004 - 2003 - 2002 - 2001 - 2000 - 1999 - 1998 - 1997

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2014

Articles

2013

Articles

Conférences avec actes

2012

Articles

Conférences avec actes

  • Transport behaviors of graphene 2D field-effect transistors on boron nitride substrate
    A. Alarcon, V. Hung Nguyen, J. Saint-Martin, A. Bournel, P. Dollfus
    International Conference on ULtimate Integration on Silicon (ULIS 2012), Grenoble, France, 5-7 mars 2012, Proceedings of ULIS, pp. 81-84 (2012)

2011

Articles

  • Experimental evidence of large dispersion of deposited energy in thin active layer devices
    M. Raine, M. Gaillardin, P. Paillet, O. Duhamel, S. Girard, A. Bournel
    IEEE Transactions on Nuclear Science 58, 2664 (2011)

Conférences avec actes

2010

Articles

  • Plasmonic noise in Silicon nanolayers
    J. Pousset, J.-F. Millithaler, L. Reggiani, G. Sabatini, C. Palermo, L. Varani, A. Bournel, P. Dollfus
    Journal of Applied Physics 107, 033710 (2010)
    1 citation

Conférences avec actes

  • Quantum transport of Dirac fermions in graphene nanostructures
    P. Dollfus, V. Hung Nguyen, V. Nam Do, A. Bournel
    14th International Workshop on Computational Electronics (IWCE), conférence invitée, Pise, Italie, 27-29 octobre 2010, Proceedings IWCE, pp. 39-44 (2010)

  • Comparison of semiclassical transport formulations including quantum corrections for advanced devices with high-k gate stacks
    F. M. Bufler, V. Aubry-Fortuna, A. Bournel, M. Braccioli, P. Dollfus, D. Esseni, C. Fiegna, F. Gamiz, M. De Michielis, P. Palestri, J. Saint-Martin, C. Sampedro, E. Sangiorgi, L. Selmi, P. Toniutti
    14th International Workshop on Computational Electronics (IWCE), Pise, Italie, 27-29 octobre 2010, Proceedings of IWCE, pp. 319-322 (2010)
    1 citation

  • Quantum transport of Dirac fermions in graphene field effect transistors
    V. Hung Nguyen, A. Bournel, C. Chassat, P. Dollfus
    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Bologne, Italie, 6-8 septembre 2010, SISPAD 2010 Proceedings, pp. 9-12 (2010)
    2 citations

  • Drain current computation in nanoscale nMOSFETs: comparison of transport models
    E. Sangiorgi, C. Alexander, A. Asenov, V. Aubry-Fortuna, G. Baccarani, A. Bournel, M. Braccioli, B. Cheng, P. Dollfus, A. Esposito, D. Esseni, C. Fenouillet-Beranger, C. Fiegna, G. Fiori, A. Ghetti, G. Iannaccone, A. Martinez, B. Majkusiak, S. Monfray, P. Palestri, V. Peikert, S. Reggiani, C. Riddet, J. Saint-Martin, A. Schenk, L. Selmi, L. Silvestri, P. Toniutti, J. Walczak
    27th International Conference on Microelectronics (MIEL 2010), conférence invitée, Nis, Serbie, 16-19 mai 2010, Proc. 27th International Conference on Microelectronics, pp. 3-7 (2010)

2009

Articles

  • A comparison of advanced transport models for the computation of the drain current in nanoscale nMOSFETs
    P. Palestri, C. Alexander, A. Asenov, V. Aubry-Fortuna, G. Baccarani, A. Bournel, M. Braccioli, B. Cheng, P. Dollfus, A. Esposito, D. Esseni, C. Fenouillet-Beranger, C. Fiegna, G. Fiori, A. Ghetti, G. Iannaccone, A. Martinez, B. Majkusiak, S. Monfray, V. Peikert, S. Reggiani, C. Riddet, J. Saint-Martin, E. Sangiorgi, A. Schenk, L. Selmi, L. Silvestri, P. Toniutti, J. Walczak
    Solid-State Electronics 53 (12), 1293-1302 (2009)
    10 citations

  • Multiscale simulation of carbon nanotube devices
    C. Adessi, R. Avriller, X. Blase, A. Bournel, H. Cazin d'Honincthun, P. Dollfus, S. Frégonèse, S. Galdin-Retailleau, A. Lopez-Bezanilla, C. Maneux, H. Nha Nguyen, D. Querlioz, S. Roche, F. Triozon, T. Zimmer
    Comptes rendus Physique 10 (4), 305-319 (2009)
    1 citation

Conférences avec actes

  • Spin dependent transport in armchair graphene nanoribbon structures
    V. Hung Nguyen, V. Nam Do, A. Bournel, V. Lien Nguyen, P. Dollfus
    16th International Conference on Electron Dynamics In Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON16), Montpellier, France, 24-28 août 2009, Journal of Physics: Conference Series 193, 012100 (2009)
    3 citations

  • Plasmonic noise in Si and InGaAs semiconductor nanolayers
    J. Pousset, J.-F. Millithaler, L. Reggiani, G. Sabatini, C. Palermo, L. Varani, J. Mateos, T. Gonzalez, S. Perez, A. Bournel, P. Dollfus
    16th International Conference on Electron Dynamics In Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON16), Montpellier, France, 24-28 août 2009, Journal of Physics: Conference Series 193, 012091 (2009)
    1 citation

  • Experimental and theoretical analysis of hole transport in uniaxially strained pMOSFET
    P. Palestri, A. Alexander, A. Asenov, G. Baccarani, A. Bournel, M. Braccioli, B. Cheng, P. Dollfus, A. Esposito, D. Esseni, A. Ghetti, C. Fiegna, G. Fiori, V. Aubry-Fortuna, G. Iannaccone, A. Martinez, B. Majkusiak, S. Monfray, S. Reggiani, C. Riddet, J. Saint-Martin, E. Sangiorgi, A. Schenk, L. Selmi, L. Silvestri, J. Walczak
    International Conference on ULtimate Integration on Silicon (ULIS 2009), Aix-la-Chapelle, Allemagne, 18-20 mars 2009, IEEE Proceedings of the 10th Conference on ULtimate Integration on Silicon, pp. 125-128 (2009)

2008

Articles

Conférences avec actes

  • On the Wigner formalism of quantum transport in semiconductor nanodevices
    P. Dollfus, D. Querlioz, J. Saint-Martin, A. Bournel
    APCTP - ASEAN Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (AMSN2008), conférence invitée, Nha Trang, Vietnam, 15-21 septembre 2008, APCTP - AMSN 2008 Proceedings, pp. 87-92 (2008)

  • A self-consistent calculation of band structure in silicon nanowires using a tight-binding model
    E. Sarrazin, S. Barraud, F. Triozon, A. Bournel
    Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Hakone, Japon, 9-11 septembre 2008, SISPAD Proceedings, pp. 349-352 (2008)
    2 citations

2007

Articles

Conférences avec actes

  • Monte Carlo modeling of Schottky contacts on semiconducting carbon nanotube
    H.-Nha Nguyen, H. Cazin d'Honincthun, C. Chapus, A. Bournel, S. Galdin, P. Dollfus, N. Locatelli
    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2007), Vienne, Autriche, 25-27 septembre 2007, SISPAD Proceedings, édité par T. Grasser et S. Selberherr, Springer-Verlag Wien New York, pp. 313-316 (2007)
    1 citation

2006

Articles

Conférences avec actes

HDR

2005

Conférences avec actes

2004

Articles

Conférences avec actes

Chapitres dans des ouvrages de synthèse

  • L'électronique ultime
    S. Galdin-Retailleau, A. Bournel, P. Dollfus
    dans "Les nanosciences : Nanotechnologies et nanophysique", sous la direction de Marcel Lahmani, Claire Dupas et Philippe Houdy, Belin (collection Echelles), chapitre 11, pp. 345-373 (2004)

2003

Chapitres dans des ouvrages de synthèse

  • Matériaux semiconducteurs
    A. Bournel, P. Dollfus, S. Galdin-Retailleau
    dans "Physique des dispositifs pour circuits intégrés silicium" (Traité EGEM, série Electronique et micro-électronique), sous la direction de Jacques Gautier, Hermes Sciences - Lavoisier, pp. 21-60, 2003

  • Eléments de base pour la physique du transport dans les composants semiconducteurs
    A. Bournel, P. Dollfus, S. Galdin-Retailleau
    dans "Physique des dispositifs pour circuits intégrés silicium" (Traité EGEM, série Electronique et micro-électronique), sous la direction de Jacques Gautier, Hermes Sciences - Lavoisier, pp. 61-116, 2003

2002

Articles

Conférences avec actes

2001

Articles

Conférences avec actes

2000

Articles

1999

Conférences avec actes

  • Spin-dependent transport phenomena in a HEMT
    A. Bournel, P. Dollfus, P. Bruno, P. Hesto
    Eleventh International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS-11), Kyoto, Japon, 19-23 Juillet 1999, Physica B 272 (1-4), 331-334 (1999)
    9 citations

Thèses

  • Etude théorique et dimensionnement d'un transistor à effet de champ à rotation de spin
    A. Bournel
    Thèse de Doctorat en Sciences, Université Paris-Sud Orsay, 28 janvier 1999

1998

Articles

Conférences avec actes

1997

Articles